Comparação RAM Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Pontuação geral

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

36 37

Por volta de 3% menor latência

Razões a considerar
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.8 15

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

13.5 11.5

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 21300

Por volta de 1.2 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2664 3075

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns