Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

总分
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

总分
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Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    36 left arrow 37
    左右 3% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    15.8 left arrow 15
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    13.5 left arrow 11.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 21300
    左右 1.2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    36 left arrow 37
  • 读取速度,GB/s
    15.0 left arrow 15.8
  • 写入速度,GB/s
    11.5 left arrow 13.5
  • 内存带宽,mbps
    21300 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2664 left arrow 3075
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较