Porównanie pamięci RAM Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Wynik ogólny

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

36 37

Wokół strony 3% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

15.8 15

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

13.5 11.5

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 21300

Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2664 3075

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns