Comparación de la memoria RAM Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Puntuación global

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

36 37

En 3% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.8 15

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

13.5 11.5

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 21300

En 1.2 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2664 3075

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns