Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Note globale
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

Note globale
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Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    36 left arrow 37
    Autour de 3% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    15.8 left arrow 15
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    13.5 left arrow 11.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 21300
    Autour de 1.2 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    36 left arrow 37
  • Vitesse de lecture, GB/s
    15.0 left arrow 15.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    11.5 left arrow 13.5
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    21300 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Vitesse d'horloge
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2664 left arrow 3075
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons