RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
45
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
14.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
3380
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link