RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
45
Rund um -80% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
2346
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link