RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
45
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
16.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
3637
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link