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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston X0N6VG-HYD2 16GB

総合得点
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

総合得点
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Kingston X0N6VG-HYD2 16GB

Kingston X0N6VG-HYD2 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Kingston X0N6VG-HYD2 16GB 考慮すべき理由
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 45
    周辺 -50% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.3 left arrow 12
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    12.0 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 16.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1939 left arrow 3637

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Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
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メモリRAM
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
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メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
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Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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