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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
45
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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2665
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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