RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
45
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
17.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
2665
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link