RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
45
Rund um -80% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
2781
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link