RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
45
Около -80% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
2781
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link