RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3914
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link