RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3827
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link