RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
51
Por volta de -89% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.3
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
27
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
16.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3827
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link