RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3827
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link