RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
41
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
2585
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link