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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Puntuación global
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
41
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
11.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2016
2585
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
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