RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3371
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link