RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Porównaj
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
47
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
43
47
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
1413
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link