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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
47
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
43
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
5.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
1413
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
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