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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
比较
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
47
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
43
47
读取速度,GB/s
12.7
9.3
写入速度,GB/s
8.0
5.9
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
1413
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
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