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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
比较
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
总分
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
42
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.7
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.2
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
10600
8500
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
39
42
读取速度,GB/s
11.7
10.4
写入速度,GB/s
7.2
7.0
内存带宽,mbps
10600
8500
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
排名PassMark (越多越好)
1749
1639
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB RAM的比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
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