RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2830
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link