RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3463
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link