RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3463
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link