RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
42
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
41
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2656
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link