RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
42
Por volta de -2% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
41
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2656
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link