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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Comparar
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
44
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
11.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
26
44
Velocidade de leitura, GB/s
13.5
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
7.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
12800
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1932
1927
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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