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A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Comparar
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
35
Por volta de 40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
14.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
10.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
21
35
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.0
10.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2771
2768
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
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