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A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Confronto
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
35
Intorno 40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
14.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
10.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
21
35
Velocità di lettura, GB/s
17.8
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2771
2768
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
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