RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Puntuación global
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
44
En 41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
26
44
Velocidad de lectura, GB/s
13.5
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1932
1927
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link