RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
26
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2830
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link