RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2405
3297
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GISL 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link