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G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
比较
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
总分
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
总分
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
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Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
25
读取速度,GB/s
15.5
17.6
写入速度,GB/s
9.0
14.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2405
3297
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
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