RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
45
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
2316
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link