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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
45
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
38
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2316
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
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Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 9905403-559.A00LF 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GX 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
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