RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
44
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
13
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.7
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.0
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
16.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2069
3759
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link