SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Unterschiede

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    29 left arrow 44
    Rund um 34% geringere Latenzzeit
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13 left arrow 11.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.2 left arrow 5.9
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    29 left arrow 44
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.3 left arrow 13.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.9 left arrow 8.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1605 left arrow 2069
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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