SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

总分
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SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB

总分
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    29 left arrow 44
    左右 34% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    13 left arrow 11.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    8.2 left arrow 5.9
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    29 left arrow 44
  • 读取速度,GB/s
    11.3 left arrow 13.0
  • 写入速度,GB/s
    5.9 left arrow 8.2
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1605 left arrow 2069
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RAM 1
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