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SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
比较
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
44
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
5.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
29
44
读取速度,GB/s
11.3
13.0
写入速度,GB/s
5.9
8.2
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1605
2069
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB RAM的比较
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
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Kingston KV0M5R-MIE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
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