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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
45
48
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.1
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.8
5.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
48
45
读取速度,GB/s
8.9
10.1
写入速度,GB/s
5.9
6.8
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
1537
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
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Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB RAM的比较
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
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G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
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