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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
71
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.9
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
71
读取速度,GB/s
11.9
9.1
写入速度,GB/s
8.1
6.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
1484
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
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Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
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