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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
44
44
读取速度,GB/s
13.0
12.3
写入速度,GB/s
8.2
7.8
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
1977
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM的比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
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