RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    29 left arrow 44
    Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Powody do rozważenia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13 left arrow 11.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.2 left arrow 5.9
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    29 left arrow 44
  • Prędkość odczytu, GB/s
    11.3 left arrow 13.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    5.9 left arrow 8.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1605 left arrow 2069

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania