RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
63
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
29
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
3134
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link