RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
63
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
29
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
17.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
3134
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
UMAX Technology 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link