RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
45
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3337
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link