RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3337
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link