RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3337
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link