RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
45
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
10.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2475
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Team Group Inc. 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link