RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
45
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3337
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link